爱游戏app官方下载-官方网站入口|手机版-全国闪式提取器多级闪蒸器厂家直销
当前位置: 首页 > 产品中心 > 闪式提取器
储存型快闪存储器将成为各大应领用领域新宠 群联将获利
来源:爱游戏官方网站入口 作者:爱游戏app手机版下载 发布时间: 2022-09-09 10:57:59

  (NAND Flash)需求爆发商机 ,今年在台北国际电脑展( Compu

  群联董事长潘健成表示,群联强攻高端应用储存方案,锁定近年热门讨论的嵌入式市场及企业应用市场等领域,相关市场进入障碍高、毛利较好。群联也将继续挖掘并深耕,以提升营运绩效与获利。

  潘健成强调,今年布局重心着重于5G技术带动的周边相关应用与科技,包括电竞、延展实境(XR)、区块链、人工智能与物联网等。

  以群联的旗舰产品PS5016-E16为例,是领先业界及消费应用市场上唯一的PCIe Gen4x4 NVMe SSD控制芯片,采用28纳米制程,搭载最新96层3D NAND快闪存储器及第四代LDPC纠错引擎,透过专利硬件加速器,提供使用者超高效能体验。此外,E16也预先导入独家设计的智慧温控机制及隐藏式IC散热装置,大幅降低超高速运算时所产生的热功耗,提升使用者经验。

  大部分运算可以通过扩位和近似的方式转换为定点运算。但有些算法在设计在设计的过程中就涉及大量的浮点运算....

  PCIe总线是继承了PCI总线而设计而来的,理解PCIe总线先从学习PCI的知识切入。PCI(Per....

  SK海力士将在清州市新建NAND M17产线,以提高NAND产品产能。SK海力士原计划在明年年初开始....

  此次中电港冲刺的是深主板上市,拟发行不超过1.90亿股,募集15亿资金,投资“电子元器件新领域应用创....

  近日,北京大学电子学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡课题组以碳纳米管网络薄膜作为半导体材....

  以Freescale的E500内核为例简单介绍TLB Entry基本组成结构

  虚拟地址的出现可以追朔到上世纪六十年代的Atlas计算系统。在当时Atlas计算系统是一个庞然大物,但也只有96K字节的内部存储器...

  亚稳态问题是数字电路中很重要的问题,因为现实世界是一个异步的世界,所以亚稳态是无法避免的,并且亚稳态....

  电子发烧友网站提供《如何实现SDRAM存储器并通过接口连接到高性能微控制器.zip》资料免费下载

  电子发烧友网站提供《用于在基于66AK2Gx的系统中提高存储器可靠性的DDR ECC设计.zip》资....

  电子发烧友网站提供《TPS53515低功耗DDR存储器电源参考设计.zip》资料免费下载

  为什么这一点很重要?因为,这让CXL主机和CXL设备能够运行和处理共享的数据,并能确保在同一存储器位....

  磁记录是利用磁的性质进行信息的记录的方式。在存储和使用的时候通过特殊的方法进行信息的输入和读出,从而....

  前几天跟同事聊到我们常用的各种存储器,比如硬盘,DDR内存条的一些知识,突然发现大概知道是啥意思,但....

  一 在一个CPU中,读写指令在进入Pipeline之前,首先被分解为两个微步骤或者是两个微指令,这并不是x86处理器所特有的,许多...

  8月,智东西GTIC 2022 全球AI芯片峰会在深圳市南山区顺利召开!会上,2022「中国AI芯片....

  存算一体化是指将传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构,它可以突破冯·诺伊曼架构下存算分离的....

  为了把它何与通常的硬件元件区分开,通常把这些元件称为软元件,它们是等效抽象的模拟的元件,并非实际的物....

  以Nehalem微架构为参照说明Cache Memory指令的执行过程

  Superscalar与 OOO(Out-of-order) 的引入极大促进了现代处理器微架构的发展。已知的高性能处理器,如Nehalem,Sandy Bri...

  在超级计算机以令人惊讶的速度不断超越,实现升级的背后,存储芯片的性能持续提升,不断突破阈值,为其提供....

  如果 CPU 的操作模式从 STOP 切换到 RUN 时,包括启动模式处于 RUN 模式时 CPU ....

  多相转换器通过集成 PWM(脉宽调制)电流模式控制器、远程感应、可选相位控制、固有电流共享能力、大电....

  外部存储器中的加密代码块不会让杂散的眼睛以任何可用的形式将其分解。MCU 包含一个解密算法,其中包....

  众所周知,AVR微控制器基于先进的RISC架构。ATmega32是一款基于AVR增强型RISC架构的....

  基于string方案在写入的时候耗时比list要高,因为每次都得需要将1万条全部写入一遍。但是读取性....

  请问RK3588 maskroom程序是集成在芯片内部还是说在某个存储器件上

  已了解到,当设备bootloader损坏情况下可以进入到maskroom模式来做升级. 请问maskroom程序是集成在芯片内部还是说在某个存储器件...

  CoWoS简单说就是用硅中介层将逻辑运算器件与DRAM(HBM)合成一个大芯片,CoWoS缺点就是中....

  西门子 EDA技术产品经理 Ben Whitehead 表示:“处理器的摩尔定律在过去几年中一直滞后....

  中央计算单元架构已经成为汽车行业的共识,各主机厂都正努力在将其中央计算单元架构落地。

  单片机即单片机微型单片机,是将单片机主机(CPU、内存和I/O接口)集成在一小块硅片上的微型机。单片....

  拍字节VFRAM新型3D铁电存储器PB85RS128C适用于便携式医疗刺激系统

  加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM M....

  为进一步加快存储器产业创新发展,推进产业生态构建,无锡经开区正着力打造中国半导体存储产业“第三极”—....

  5G、AI、IoT、大数据、云计算、车联网、元宇宙等新技术的发展,叠加线上教学、远程办公趋势,催生了....

  当非稳态多谐振荡器没有稳定状态而单稳态多谐振荡器只有一个稳定状态时,具有两个绝对稳定状态的器件是可能....

  复杂的设计和竞争的压力促使着电子开发者寻找新的具有竞争力的解决办法。其中一个重要的方面是把云计算的能....

  集微网报道, 5G、AI、IoT、大数据、云计算、车联网、元宇宙等新技术的发展,叠加线上教学、远程办....

  你好 我有一个奇怪的问题,在我的引导加载项目中,如果使用ARM Compiler 6.12进行编译,则可以工作,但是如果使用6.13.1进行...

  此前已经介绍了关于8051微控制器基础知识和引脚图说明等相关知识,而在本文中,将重点介绍8051微控....

  在该协议中,所有的消息符号都是分别编码在每个X基量子态上,并通过量子信道发送给 Bob。在与之相配套....

  与标准 SPI 模式相比,存储器映射模式能够更快速有效地应对频繁访问查找表和高中断率的应用。这种方法....

  CXL是CXL联盟开发的一项开放式互联新标准,基于PCIe物理层的高速、低延迟CPU到设备互连技术。....

  现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)是在PAL、....

  软件编程接口指芯片可编程寄存器定义,包括地址以及寄存器含义、硬件外设驱动及硬件抽象层接口函数定义、操....

  注意,这里的DDR指的是Double Data Rate,双倍数据速率。这篇文章并不是讲DDR存储器....

  IIC(Inter-Integrated Circuit)其实是IICBus简称,它是一种串行通信总....

  一、异常(Exception) 异常是理解CPU运转最重要的一个知识点,几乎每种处理器都支持特定异常处理,中断是异常中的一种。有...

  AT32F425系列搭载了雅特力自行开发的sLib安全库(Security Library),可支持....

  2022年8月17日,以“20年,砥砺前行”为主题的中国IC领袖峰会在南京召开,业界精英汇聚一堂,一....

  NY8B062D单片机是一款以以EPROM作为存储器的8位单片机,专为家电或量测等等的I/O应用设计....

  在工业物联网边缘处理方面,基于单板机 (SBC) 的计算平台为设计人员提供了越来越多受到良好支持的高....

  基于 i.MX 8M Nano 的设计中硬件接口要求相对简单,但是 NXP 甚至为开发人员免去了这....

  在静态链接.o程序时,会造成很大的内存消耗,因为要链接不同库文件,这些库文件直接装载至内存。

  HBM2E标准的每个裸片的最大容量为2GB,每个堆栈可以放置12层裸片,从而可实现24GB的最大容量....

  使用 XiP,您将能够以更低的功耗和成本提供所需的性能。虽然 XiP 要求微控制器上具有兼容的存....

  FRAM 存储单元仅在写入或读取时才会消耗功率,因此待机功耗约为几微安。这使得在使用电池运行的设....

  一、添加的功能 1.在GD32F10x中移植FlashDB,用于片外FLASH(W25Q32JV) 二、背景 1.硬件:GD32F10x 2.软...

  问题描述及复现步骤: 我将ROC-RK3568-PC-MIPI_M10R800V2-UBUNTU20.04-GPT-20220225-1035这个...

  摘要:在实际项目中经常用到串口接收一些不定长的数据,怎么判断这一帧数据接收完成了呢?通常使用UART非空中断配合简单的数...

  我需要把某一段程序编译后存储在指定地址的程序存储器中,但是不知道在编程中怎么来指定存储地址?在ARM汇编编程中如何指定某...

  STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

  oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部-调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...

  ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

  标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...

  ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

  ,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...

  ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

  引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。

  ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

  或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...

  ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

  于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...